SEOUL, Korea, 26. November 2015 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten DDR4-Memorys (Double Data Rate-4) mit „Through Silicon Vias“ (TSV) in Modulen mit 128Gigabyte (GB) begonnen. Die neuen Halbleiterspeicher sind für den Einsatz in Enterprise Servern und Rechenzentren gedacht. Im Anschluss an die Markteinführung der weltweit ersten 3D TSV […]
Frankfurt am Main, 23. November 2015 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, nimmt als erster Lieferant von Halbleiterspeichern am Progressive SemiConductor Program (PSCP) des Automobilherstellers Audi teil. Dr. Kinam Kim, President of Semiconductor Business bei der Device Solutions Division von Samsung Electronics, und Ricky Hudi, Executive Vice President Electronic Development bei Audi, […]