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Forschung/Entwicklung

Wettenberg (euro adhoc) – (Wettenberg, 13. März 2012) – Vor dem
Hintergrund der aktuell schwierigen Lage der Photovoltaikindustrie,
die durch Überkapazitäten und damit verbunden starkem Preis- und
Margendruck gekennzeichnet ist, wird der Erhöhung der Zelleffizienzen
ein besonders hohes Potential zur Optimierung der „Cost of Ownership“
(CoO) zuerkannt. In diesem Kontext hat die PVA TePla AG, Wet-tenberg
– Deutschland, ein führender Hersteller von Anlagen zur Herstellung
von monokristallinen Siliziumkristallen nach der Czochralski-und
Floatzone Methode, seine Anlagentechnologie zur Züch-tung von
Kristallen in Zusammenarbeit mit Kunden, Kooperations-partnern und
Forschungszentren aus der Photovoltaikindustrie konsequent
weiterentwickelt.

Neben erheblichen Verbesserungen der etablierten
Czochralski-Technologie in Hinblick auf verkürzte Prozesszeiten und
geringere Prozesskosten, erreich-bar durch Erhöhung der
Kristallisationsgeschwindigkeit bzw. einer effizienteren Nutzung von
Ausgangs und Verbrauchsmaterialien, fokussieren neuere Entwicklungen
auf das Floatzone-Verfahren zur Herstellung von hochreinem,
monokristallinem Silizium für Solaranwendungen.

Die Floatzone-Technologie wurde ursprünglich für die
Halbleiterherstellung entwickelt und hat in den letzten Jahren
zunehmend an Bedeutung gewonnen. Mit der Floatzone-Technologie werden
die besonders hohen Reinheitsanforderungen an monokristallines
Silizium erreicht, die beispielsweise benötigt werden, um
elektronische Bauelemente für Hochleistungsanwendungen zu
produzieren. Mit einer für die Photovoltaikindustrie optimierten
Kristallzuchtanlage, die monokristalline Siliziumkristalle nach dem
Floatzoneverfahren ziehen kann, stehen nun industriell verfügbare
Standardanlagen für die Produktion bereit, mit denen zukünftigen
Anforderungen photovoltaischer Stromerzeugung ent-sprochen werden
kann. Nur mit sehr gutem Wafermaterial lassen sich im Zuge des immer
komplexer werdenden Fertigungsprozesses in der Solarindustrie die
höchsten Effizienzen realisieren. Hierfür sind eine über den gesamten
Siliziumkristall hinweg gleichbleibend hohe Qualität sowie
gleichzeitig eine hohe Reinheit des Kristalls erforderlich. Mit dem
Floatzoneverfahren kann eine Anlagentechnologie für die
Kristallzüchtung in der Photovoltaikindustrie angeboten werden, die
hervorragende Zelleffizienzen und niedrige Betriebs-kosten bietet.

Das Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in Halle sowie
das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) und Industriepartner
arbeiten im Rahmen des vom BMBF (Bundesministerium für Bildung und
Forschung) geförderten Exzellenzclusters weiter intensiv mit
Kristallzuchtanlagen der PVA TePla und bestätigen u.a. die sehr gute
Effizienz der Floatzone – basierten Zellen.

Rückfragehinweis:
Dr. Gert Fisahn
Telefon: +49(0)641 68690-400
E-Mail: gert.fisahn@pvatepla.com

Ende der Mitteilung euro adhoc
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Unternehmen: PVA TePla AG
Im Westpark 10-12
D-35435 Wettenberg
Telefon: +49(0)641 68690-0
FAX: +49(0)641 68690-800
Email: ir@pvatepla.com
WWW: http://www.pvatepla.com
Branche: Misc. Industrials
ISIN: DE0007461006
Indizes: CDAX
Börsen: Freiverkehr: Hannover, Berlin, München, Hamburg, Düsseldorf,
Stuttgart, Regulierter Markt/Prime Standard: Frankfurt
Sprache: Deutsch

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